Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ ủ và nồng độ hydro tới tính chất chỉnh lưu điện của chuyển tiếp ITO/aSi:H

Tóm tắt

Tổng quan về các loại chuyển tiếp Ohmic, chuyển tiếp Shottky, vật liệu ITO, vật liệu Si, và chuyển tiếp ITO/Si cùng các ứng dụng liên quan. Trình bày các phương pháp nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ ủ và nồng độ Hydro, trong quá trình chế tạo lớp Si vô định hình, tới hình dạng của đường đo I-V của các chuyển tiếp ITO/aSi:H. Cụ thể, các phép đo I-V, đo đặc trưng điện dung - điện thế (C-V), quang phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR), phổ nhiễu xạ tia X (XRD), quang phổ hấp thụ UV-vis… đã được sử dụng để phân tích hình dạng và độ ổn định của các đường đo I-V. Trình bày kết quả phân tích tính chất điện của chuyển tiếp ITO/a-Si:H.
 Nguyên nhân thay đổi tính chất điện của chuyển tiếp ITO/a-Si:H từ dạng Ohmic sang dạng Schottky và ngược lại, cùng với nguyên nhân của hiện tượng bất ổn định trong các đường đo I-V đã được chỉ ra. Từ đó, đưa ra các biện pháp để chế tạo các chuyển tiếp
 ITO/a-Si:H có tính chất điện phù hợp và ổn định.